Nowy

UKŁAD Mosfet PE600BA ,F1 GUE, F1 GUB.

35,00 zł

Brutto Koszt wysyłki nie jest wliczony w cenę

MOSFET PE600BA

Ilość

Na stanie

Polityka bezpieczeństwa

Procedura zwrotu towaru

Odstąp od umowy tutaj

Opis
Szczegóły produktu

Tranzystor MOSFET PE600BA to wysokiej jakości element półprzewodnikowy typu N-Channel z kanałem wzbogacanym, zaprojektowany z myślą o zaawansowanych układach zarządzania energią. Dzięki niskiej rezystancji w stanie przewodzenia oraz kompaktowej obudowie SMD, układ ten zapewnia doskonałą wydajność prądową i minimalne straty mocy.

Układ PE600BA jest powszechnie stosowany przez czołowych producentów elektroniki w sekcjach zasilania płyt głównych, laptopów, kart graficznych oraz przetwornic DC-DC.

Główne cechy i zalety:

Wysoka wydajność prądowa: Obsługa prądu drenu do 32A pozwala na stabilną pracę w wymagających aplikacjach.
Niska rezystancja przewodzenia: Zaledwie 9.8 mΩ przy napięciu bramki 10V, co drastycznie ogranicza wydzielanie ciepła i zwiększa efektywność energetyczną urządzenia.
Kompaktowa obudowa DFN-8 / PDFN3x3: Miniaturowe wymiary 3x3 mm pozwalają na gęsty montaż powierzchniowy na nowoczesnych laminatach PCB.
Optymalne napięcie pracy: Maksymalne napięcie dren-źródło wynoszące 30V sprawia, że jest to idealny wybór do linii zasilania 5V, 12V oraz zasilania procesorów.

Specyfikacja techniczna:

Polaryzacja: N-Channel
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30 V
Maksymalny ciągły prąd drenu: 32 A przy temperaturze obudowy 25°C
Rezystancja w stanie przewodzenia: 9.8 mΩ dla bramki 10V / 15 mΩ dla bramki 4.5V
Napięcie bramka-źródło: ±20 V
Maksymalna moc rozpraszana: 17.8 W
Typ obudowy: PDFN3X3P / DFN8 (3mm x 3mm)
Montaż: SMD (powierzchniowy)
Zakres temperatur pracy: -55°C do +150°C