DRV8300DPWR firmy Texas Instruments to wysokonapięciowy, 3-fazowy sterownik półmostkowy przeznaczony do bezpośredniego sterowania zewnętrznymi tranzystorami N-kanałowymi MOSFET (zarówno high-side, jak i low-side). Dzięki obsłudze napięcia zasilania do 100 V oraz zintegrowanym diodom bootstrapowym, układ eliminuje potrzebę stosowania wielu zewnętrznych komponentów, co pozwala na oszczędność miejsca na płytce PCB oraz obniżenie kosztów całego projektu.
Układ charakteryzuje się architekturą zapewniającą wysokie prądy sterowania (szczytowo 750 mA źródłowego i 1,5 A ujściowego), co gwarantuje szybkie przełączanie i minimalizację strat mocy w systemach napędowych. [2]
Główne zalety i funkcje układu:
Zintegrowane diody bootstrapowe (wersja D): Redukują liczbę elementów zewnętrznych, upraszczając konstrukcję zasilania bramek high-side. [ 2]
Wysoka odporność i niezawodność: Piny fazowe (SHx) wykazują wyjątkową tolerancję na ujemne szpilki napięcia (aż do -22 V), chroniąc sterownik przed uszkodzeniami wywołanymi stanami nieustalonymi w silniku. [2]
Wbudowane zabezpieczenia: Pełna ochrona przed podnapięciem (UVLO) dla linii GVDD i BST oraz zintegrowana blokada przed jednoczesnym przewodzeniem kluczy górnych i dolnych (cross-conduction prevention).
Elastyczne sterowanie: Kompatybilność z wejściami logicznymi 3,3 V oraz 5 V (obsługa sygnałów odwracających i nieodwracających).
Specyfikacja techniczna:
Producent: Texas Instruments
Typ układu: Sterownik bramki MOSFET (Gate Driver)
Liczba faz: 3-fazowy (półmostkowy)
Maksymalne napięcie pracy (SHx): 100 V
Napięcie zasilania bramek (GVDD): 5 V do 20 V
Maksymalny prąd wyjściowy: 750 mA (source) / 1,5 A (sink)
Czas martwy (Deadtime): Stały, fabrycznie zaimplementowany (200 ns)